Конвергенция инноваций: техническая синергия между CoolSiC™ MOSFET G2 компании Infineon и тонкопленочными конденсаторами YMIN

Тонкопленочные конденсаторы YMIN идеально дополняют MOSFET G2 CoolSiC™ от Infineon

Новое поколение карбидкремниевых MOSFET CoolSiC™ G2 от Infineon является лидером инноваций в области управления питанием. Тонкопленочные конденсаторы YMIN с их конструкцией с низким ESR, высоким номинальным напряжением, низким током утечки, высокой температурной стабильностью и высокой плотностью емкости обеспечивают надежную поддержку этого продукта, помогая достичь высокой эффективности, высокой производительности и высокой надежности, что делает его новым решением для преобразования энергии в электронных устройствах.

Тонкопленочный конденсатор YMIN с транзистором Infineon MOSEFET G2

Особенности и преимущества YMINТонкопленочные конденсаторы

Низкая СОЭ:
Конструкция тонкопленочных конденсаторов YMIN с низким эквивалентным последовательным сопротивлением эффективно справляется с высокочастотными шумами в источниках питания, дополняя низкие потери переключения CoolSiC™ MOSFET G2.

Высокое номинальное напряжение и низкая утечка:
Высокое номинальное напряжение и низкий ток утечки тонкопленочных конденсаторов YMIN повышают высокотемпературную стабильность CoolSiC™ MOSFET G2, обеспечивая надежную поддержку стабильности системы в суровых условиях.

Стабильность при высоких температурах:
Высокая температурная стабильность тонкопленочных конденсаторов YMIN в сочетании с превосходным тепловым управлением CoolSiC™ MOSFET G2 еще больше повышает надежность и стабильность системы.

Высокая плотность емкости:
Высокая плотность емкости тонкопленочных конденсаторов обеспечивает большую гибкость и более эффективное использование пространства при проектировании системы.

Заключение

Тонкопленочные конденсаторы YMIN, как идеальный партнер для Infineon CoolSiC™ MOSFET G2, демонстрируют большой потенциал. Сочетание этих двух компонентов повышает надежность и производительность системы, обеспечивая лучшую поддержку электронных устройств.

 


Время публикации: 27 мая 2024 г.